以ZrNiSn为主的half-Heusler基化合物为一种传统的热电材料。在ZrNiSn的体系中，一般认为Zr-Sn的反位会带来电性能的降低，实验中应予以避免。在《热利用关键材料的结构设计及构效关系研究》项目资助下，中国科学院上海硅酸盐研究所陈立东，张文清组通过计算研究发现，虽然Zr-Sn反位会降低体系的带隙，但同时可以提高载流子浓度，并且使带隙两边的电子态密度增加，有利于性能的提升。根据这一思想，在实验上比较了不同退火时间下的ZrNiSn体系。未退火的ZrNiSn功率因子可以达到40 W/cmK²，接近电性能良好的n型方钴矿；并且反位还会引入点缺陷，可以降低晶格热导。未退火、未做任何性能优化的ZrNiSn最大热电优值已经达到0.6，远高于基体的0.1，接近通过等电子合金及掺杂优化后最大值。该研究为half-Heusler体系的性能优化提供了新的思路。相关工作发表于Appl. Phys. Lett., 96 (2010) 152105上。

左图为不同Zr-Sn反位量下的电子态密度；右图为未退火（反位量最大）的ZrNiSn样品与退火后的

ZrNiSn以及优化后样品的ZT值比较。未优化的ZrNiSn样品性能可以接近文献报道的该体系的最大值。