无掩模光刻系统,可曝光任意图形,曝光过程自动对焦、适时调整,可兼容1-4英寸样品。曝光系统最小精度1μm,工作模式可在掩膜版和无掩模工作模式之间任意切换。曝光光源波长:350-550 nm
任意图形光刻
曝光系统最小精度:1 μm,曝光系统对准精度:±1 μm,光刻图形边缘粗糙度
用于微纳器件的电极制备。广泛应用于微电子器件领域。