1.显示器: 2.温度控制; 9. 温度测量; 10.光源; 11. 位移放大;  13.真空系統; 14. 光电转换; 15. 位移谓零; 16. 原位扭转。

内耗研究

●试验温度范围：200—1 000 K，分辨率：±0.5 K   

●测量方式：自由衰减、强迫振动 

●内耗测量范围：自由衰减为10-5—10-1、强迫振动为10-4—5   

●应变振幅范围：10-6—10-4 

●频率范围：强迫振动为10?4—10 Hz，自由衰减为0.1—5 Hz   

●系统真空：10-1—10-2Pa

材料的高阻尼性能进行评估；固溶碳、氮、氧和氢含量的分析；各种缺陷引起的弛豫性内耗峰机制的研究；各种相变内耗峰的研究；磁内耗的研究；非晶态材料的晶化过程、结构弛豫和结构转变的研究；金属熔体、聚合物材料的结构转变过程研究；超低阻尼材料性能标定