郑国宗，博导，研究员，课题组长。2008年福建物质结构研究所获得凝聚态物理专业博士学位后留所工作。主要从事大尺寸水溶液晶体生长及动力学研究。在国际、国内重要学术期刊发表论文10余篇，以第一发明人申请国家发明专利17项，授权发明专利8项。以项目负责人承担各类项目20余项，其中国家级重大专项4项，中国科学院重点部署项目1项。近年来完成了大尺寸KDP/DKDP晶体批量生产线全程工艺验证与定型，在国家重大工程建设中实现重要应用。

研究方向：水溶液晶体生长及动力学研究

办公电话：0591-63179368

办公地址：杨桥路园区水溶液晶体研发中心 

电子邮箱：zhengguozong@fjirsm.ac.cn  

代表性研究成果：

1. Yundong Ma,Yuanlong Sun,Xiangting Li,Zhongjie Xiao,Ziyu Hu*,Guozong Zheng*,Study on the rapid growth technology and optical properties of KAP crystal,Opt. Mater.,2024,115,115884

2. Yuanlong Sun,Yundong Ma,Xiangting Li,Ziyu Hu* and Guozong Zheng*,Study on growth technology and optical properties of large size and high quality methylamine lead bromide single crystals,CrystEngComm,2024,26,2003-2008.

3. Ziyu Hu,Pengfei Li,Yuanlong Sun,Jingwen Li and Guozong Zheng*,Rapid growth technology and optical properties of a large aperture high-deuterium DKDP crystal,CrystEngcomm,2022,24,8440-8448.

4. Jingwen Li,Jun Zhang,Ziyu Hu,Min Zhang and Guozong Zheng*,Study on directional rapid growth and properties of 90% DKDP crystal,J. Cryst. Growth,2022,578,126445.

5. Xumin Cai,Xiuqing Lin,Guohui Li,Junye Lu,Ziyu Hu and Guozong Zheng*,Rapid growth and properties of large-aperture 98%-deuterated DKDP crystals. High Power Laser Sci. Eng.,2019,7(03):91-98.

6. 郑国宗，胡子钰，张敏，李鹏飞，孙元龙，一种载晶架及甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法，中国发明专利，专利号：ZL202310081355.7，授权日期：2025-01-10。

7. 郑国宗，蔡序敏，胡子钰，林秀钦，一种加料装置，中国发明专利，专利号：ZL201811190458.2，授权日期：2023-11-17。

8. 郑国宗，胡子钰，林秀钦，李静雯，李鹏飞，一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法，中国发明专利，专利号：ZL202210151701.X，授权日期：2023-10-03。

9. 郑国宗，蔡序敏，林秀钦，雷太鸣，一种高氘DKDP晶体原料的合成罐装置及合成方法法，中国发明专利，专利号：ZL201810088196.2，授权日期：2023-09-08。

10. 郑国宗，胡子钰，林秀钦，李静雯，李鹏飞，一种晶体生长槽及槽底杂晶去除方法，中国发明专利，专利号：ZL202210151711.3，授权日期：2023-06-27。

11. 郑国宗,胡子钰,蔡序敏,一种载晶架及定向生长KDP类晶体的方法，中国发明专利，专利号：ZL201910261030.0，授权日期：2021-06-22。

12. 郑国宗,胡子钰,林秀钦,李静雯,一种载晶架及KDP类晶体的生长方法，中国发明专利，专利号：ZL201910998686.0，授权日期：2020-12-29。

13. 郑国宗,胡子钰,李静雯,林秀钦,一种DKDP溶液氘化率的测试方法，中国发明专利，专利号：ZL201910659698.0，授权日期：2020-12-29。