低维纳米材料由于在发光和电子输运等方面有着丰富的物理特性，得到了广泛关注。日前，北京大学物理学院方哲宇、朱星课题组利用石墨烯量子点(GQDs)等离激元实现了对单层MoS₂的高效电荷掺杂以及发光光谱的动态调控，相关成果8月10日在线发表于《先进材料》期刊（Adv. Mater., 2015, DOI: 10.1002/adma.201501888）。 

　　单层MoS₂是一种直接带隙半导体材料，具有较高的光致荧光发光效率。GQD等离激元的电掺杂效应可以调控单层MoS₂中的激子和三激子复合发光。近期已有利用电致掺杂、化学分子掺杂MoS₂单层的报道，但仍存在掺杂不易调控、掺杂效率不高等问题，方哲宇等人创新性地制备了GQD/MoS₂异质结结构，利用石墨烯量子点的等离激元隧穿效应，实现了一种新的高效光控界面掺杂，并通过拉曼光谱和荧光光谱对其进行了表征和分析，发现掺杂可以对MoS₂单层的谷偏振度进行有效调控。 

　　这项研究解释了碳基量子点材料和二维材料界面电荷转移过程，为新型低维异质结材料在生物医学传感、微纳电子器件等领域的应用提供了新思路。 

　　GQD/MoS₂ 异质结材料中的等离激元界面电荷转移过程以及荧光光谱的动态调控，图来源：北京大学