二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）具有丰富的元素组成与材料特性，在纳电子器件、新型光电器件及催化等领域具有潜在的应用前景。目前，发展可控合成方法是研究这类材料新奇物性进而探索其应用的关键。 

　　近期，清华大学化学系焦丽颖课题组提出了二维TMDCs的化学气相输运合成新方法，通过对生长动力学进行调控，实现了多种二维半导体材料，如MoS₂、MoSe₂、ReS₂等材料的控制合成，为二维原子晶体的控制合成提供了新方法，拓展了二维半导体的材料体系。相关工作“Two-Dimensional Semiconductors Grown by Chemical Vapor Transport”发表在《德国应用化学》期刊上（Angew. Chem. Int. Ed., 2017, 56, 3611-3615, DOI: 10.1002/anie.201700439）。 

　　图来源：Angew. Chem. Int. Ed. 

　　此外，针对二维TMDCs层数控制合成的问题，他们以前驱体设计为切入点，通过对生长动力学的控制，实现了二维MoS₂的层数控制合成。系统研究了二维MoS₂的能带间隙、光谱、电学等性质与层数的关联，在此基础上构建了具有高迁移率的场效应晶体管、整流二极管等器件，为高性能二维器件的构筑提供了新思路。相关工作“High-Mobility Multilayered MoS₂ Flakes with Low Contact Resistance Grown by Chemical Vapor Deposition”近期发表在Adv. Mater.上（DOI: 10.1002/adma.201604540）。

　　图来源：Advanced Materials 

　　（摘自清华大学化学系）