6月6日,福建物构所举办“青榕论坛”第七讲,邀请美国阿贡国家实验室材料科学部林文文博士作题为《Tl基三元半导体化合物的合成、提纯、晶体生长以及在辐射探测中的应用》的学术报告。所青促会会员、青年职工、博士后和研究生等50余人参加交流。
林文文博士的报告聚焦于Tl基三元半导体化合物的合成、提纯、晶体生长及其在射线响应探测中的应用研究。Tl基三元半导体化合物具有高密度,高平均原子序数,宽带隙(>1.5 eV)和一致熔融的特性,是潜在的室温辐射探测半导体化合物材料。相对于闪烁体型辐射探测材料如CsI、NaI和SrI2等,光电导型的辐射探测材料对原材料的纯度有着更为苛刻的要求,极其微量的杂质即可能引入导致材料无法对射线响应的深能级(大的载流子俘获截面)。因此,对原材料的提纯是极其关键的一个环节。本报告以Tl6SeI4材料为例,介绍其合成、提纯、组分调控和晶体生长。基于此材料的研究经验,着重介绍去除氧化物的提纯方案和高效提纯具有高挥发性的原材料的新方法,并对晶体中第二相杂质对载流子输运性能的影响进行探讨。特别是林文文博士分享了他在半导体晶体生长和提纯方面的成功经验,受到了与会者的一致好评。他还与参会人员就半导体晶体材料的合成、提纯和射线响应性能研究等相关问题进行了深入研讨和广泛交流。
林文文博士(左三)与物构所部分青促会会员和科研人员合影
(青促会物构所小组供稿)